问答题X 纠错
GTR有二次击穿现象,而PowerMOSFET没有二次击穿现象的根本原因是这两种器件的工作载流子性质不同。GTR这类双极性器件主要依靠少数载流子的注入传导电流,少数载流子的注入密度随结温升高而增大。电流的增大使结温进一步升高,从而使得电流与结温之间具有正反馈的关系。而功率MOSFET主要依靠多数载流子导电,多数载流子的迁移率随温度的上升而下降,其宏观表现就是漂移区的电阻升高,电阻升高会使电流减小,电流的减小使得结温下降,从而使得电流与结温之间呈负反馈关系。该特性不仅使得功率MOSFET没有热反馈引起的二次击穿现象,其安全工作区大大增大。
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