问答题X 纠错

参考答案:

图(a)中电路对正弦信号无放大作用,因发射结无直流偏置。
图(b)中电路对正弦信号无放大作用,因电源VCC极性接反没有使集电结反偏。
图(c)中电路对正弦信号无放大作用,因输入信号被VBB交流短接,加不到发射结。
图(d)中电路对正弦信号有放大作用。

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问答题

电路如图所示,设VCC=12V,RL=8
(1)求电路的最大输出功率;
(2)确定两BJT的极限参数ICM、PCM、|V(BR)CEO|;
(3)当效率η=0.5时输出功率Po为多大?

参考答案:


问答题

在如图所示电路中,已知VCC=16V,RL=4Ω,T1和T2管的饱和管压降│UCES│=2V,输入电压
足够大。试问:
(1)最大不失真输出功率Pom和实际效率η各为多少?
(2)每个晶体管的最大功耗PTm1、PTm2为多少?

参考答案:

问答题

增强型FET能否用自偏压的方法来设置静态工作点?试说明理由。

参考答案:由于增强型MOS管在vGS=0时,vD=0(无导电沟道),必须在|vGS|>|VT|(VT为开启电压)时才有iD,因此,...

问答题

电路如图所示(射极偏置电路),设在它的输人端接一内阻Rs=5KΩ的信号源.电路参数为:Rb1=33KΩ,Rb2=22KΩ。Re=3.9KΩ,Rc=4.7KΩ,RL=5.1KΩ,Ce=50μF(与Re并联的电容器).Vcc=5V.IE≈0.33mA,β0=120,rce=300KΩ,rbb′=50Ω,fT=700MHZ及Cb′c=1pF。求
(1)输入电阻Ri
(2)中频区电压增益|AVM|;
(3)上限频率fH

参考答案:



问答题

一高频BJT,在Ic=1.5mA时,测出其低频H参数为:rbe=1.1KΩ,βo=50,特征频率fT=100MHz,Cb′c=3pF,试求混合Ⅱ型参数gm、rb′e、rbb′、Cb′e

参考答案:

问答题

图题画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线,试求:
(1)电源电压VCC,静态电流IB、IC和管压降VCE的值;
(2)电阻Rb、RC的值;
(3)输出电压的最大不失真幅度;
(4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?

参考答案:(1)由图可知,直流负载线与横坐标轴的交点即Vcc值的大小,故Vcc=6V。由Q点的位置可知,IB=20μA,IC=1m...

问答题

如图所示的运算放大电路中,已知R1=R2=10k,R5=15k,R3=R4=R6=30k,RF=30k,RFi=RF2=10k,E1=3V,E2=4V,E3=3V。试求:
(1)指出A1、A2、A3运算放大功能;
(2)计算输出电压uo1、uo2和uo

参考答案:


问答题

如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中,已知VP=-4v,IDSS=1mA,VDD=16v,RG1=160kΩ,,RG2=40kΩ,RG=1MΩ,RD=10kΩ,RS=8kΩ,RL=1MΩ。试求:
(1)静态工作点Q
(2)画出微变等效电路
(3)电压放大倍数Au
(4)输入电阻Ri、输出电阻Ro

参考答案:



问答题

在如图所示电路中,电表M的满偏电流为100μA,表头内阻RM=2kΩ,三极管T1、T2的参数相同,β=50,rbe=1.8kΩ,电位器RW的滑动端位于中点。试求使电流表满偏时所需的输入电压vS

参考答案:

问答题

共射放大电路如图(a)所示。
(1)试确定电路的静态工作点(写出IBQ、ICQ和VCEQ的表达式);
(2)画出该放大器的小信号等效电路;
(3)该放大器的输入电阻、输出电阻、电压增益Av及源电压增益Avs的表达式(设电容的容抗可忽略不计);
(4)用直流电压表测量时,若出现VCEQ≈0V或VCEQ≈24V,说明三极管工作在什么状态?
(5)用示波器观察vO端波形时,若出现图(b)所示情况,为何种失真?应如何消除?
(6)若想改善放大器的低频特性,可以采用什么方法?

参考答案:



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