问答题X 纠错

试说明半导体的载流子服从波尔兹曼的物理原因。

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问答题

试描述施主与受主的电离过程。

参考答案：在N型半导体中，5价的磷或砷等杂质原子替代4价的硅或锗原子后，用4个价电子与周围4个近邻原子形成共价键，还有一个多余的价...
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问答题

半导体禁带中的束缚能级是怎样形成的？试举例说明。

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问答题

若某半导体样品呈现出本征行为，这是否意味着它必定是纯净的？

参考答案：半导体样品呈现本征行为是指其导带中电子的浓度等于其价带中空穴的的浓度，由此可知，在4价的硅和锗中，掺入一些5价的磷或砷等...
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问答题

用紧束缚方法处理面心立方的s态电子，若只计及最近邻相互作用，试导出其能带为

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问答题

设二维正三角形晶格中原子间距为a，试根据紧束缚近似的结果，求出能带E（k）的表达式，并求出相应的电子速度v（k）和有效质量的各个分量mαβ。

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问答题

证明：应用紧束缚方法，对于一维单原子链，如只计及最近邻原子间的相互作用，其s态电子的能带为

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问答题

一矩形晶格，原胞边长a=2×10−10m，b=4×10−10m。画出自由电子的费米面。

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问答题

一矩形晶格，原胞边长a=2×10−10m，b=4×10−10m。画出第一布里渊区和第二布里渊区。

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问答题

一矩形晶格，原胞边长a=2×10−10m，b=4×10−10m。画出倒格子图。

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问答题

设kF表示自由电子的费米波矢，km表示空间中从原点到第一布里渊区边界的最小距离，求具有体心立方和面心立方结构的一价金属的比值kF/km。

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