硅平面晶体管或集成电路掩模版的制作，一般地讲，要经过原图绘制（包括绘总图和刻分图）、初缩、精缩兼分步重复、复印阴版和复印阳版等几步。掩模版制造人员根据图形产生的磁带数据，再加上不同的应用需求及规格，会选用不同的制作流程。
①版图绘制：在版图设计完成后，一般将其放大100~1000倍（通常为500倍），在坐标纸上画出版图总图。
②刻分层图：生产过程中需要几次光刻版，总图上就含有几个层次的图形。为了分层制出各次光刻版，首先分别在表面贴有红色膜的透明聚酯塑料胶片（称为红膜）的红色薄膜层上刻出各个层次的图形，揭掉不要的部分，形成红膜表示的各层次图形。这一步又称为刻红膜。
③初缩：对红膜图形进行第一次缩小，得到大小为最后图形十倍的各层初缩版。其过程与照相完全一样。
④精缩兼分布重复：一个大圆片硅片上包含有成百上千的管芯，所用的光刻版上当然就应重复排列有成百上千个相同的图形。因此本步任务有两个：首先将初缩版的图形进一步缩小为最后的实际大小，并同时进行分布重复。得到可用于光刻的正式掩模版。直接由精缩和分步重复得到的叫做母版。
⑤复印：在集成电路生产的光刻过程中，掩模版会受磨损产生伤痕。使用一定次数后就要换用新掩模版。因此同一掩模工作版的需要数量是很大的，若每次工作版都采用精缩得到的母版是很不经济的。因此在得到母版后要采用复印技术复制多块工作掩模版供光刻用。