本征层厚度为3mm的一个380mm²的平面Ge（Li）探测器对距它表面100㎜处0.25MBq的¹³⁷Csγ射线源测量5min所得的全能峰、单逃逸峰、双逃逸峰下面的计数（R＝20/1）。

一个Ge（Li）探头相对于标准Φ7.62cm×6.62cm的NaI（T1）闪烁体有8％的光电峰效率。求对于距探测器40㎝处一个3.7×10⁷Bq的⁶⁰Co点源的1.33MeV全能峰计数率。

当α粒子被准直得垂直于金硅面垒探测器的表面时，²⁴¹Am刻度源的主要α射线峰中心位于多道分析器的461道。然后改变几何条件，使α粒子偏离法线35°角入射，此时，峰位移到449道，试求死层厚度（以α粒子粒子能量损失表示）。

使用一个完全耗尽了的0.1mm厚的硅探测器，若偏压大到足够使载流子速度处出饱和，估算电子和空穴的最大收集时间。

死时间分别为30μs和100μs的探测器A和B，若B探测器的死时间漏计数率是A探测器死时间漏计数率的两倍，求应测的计数率是多少？

电容为10PF的冲氩气的脉冲电离室，前置放大器的噪声约20MV，输入电容20PF（忽略分布电容）。若认为信噪比小于5就无法测量了，求该电离室能够测量的粒子最低能量。

用锢（In）片活化法测量热中子通量密度，已知铟片s=4㎝²，x_m=100mg/cm²， 锢中¹¹⁵In的丰度为95.7%，热中子活化截面145b。将铟片放在中子场中照射6小时后取出，等待20分钟开始测量¹¹⁶In的放射性，测量10分钟测得计数率为164000cps，求照射的热中子通量密度。（^116mIn的半衰期为54.1分，¹¹⁶In半衰期为14.1秒）

当G-M计数管的窗厚加60mg/cm²时，β的计数率减少一半。试求这种放射源发射的β射线的最大能量是多少？

一个具有比较好的信噪比特性的放大器给定10mV的最小输入脉冲。如果测量500keV的X射线，在一个具有200pF的充Ar正比计数管中需要多大的气体放大因子？