判断题

当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时，称表面发生了强反型。

答案：正确

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一个增强型P沟道MOSFET，其阈值电压应该小于零。

答案：正确

电流放大系数与频率成反比，频率每提高一倍，电流放大系数下降一半，功率增益降为四分之一。

答案：正确