判断题
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电流放大系数与频率成反比,频率每提高一倍,电流放大系数下降一半,功率增益降为四分之一。
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对
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判断题
减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度,不但能减少存储电荷,还能降低反向抽取电流。
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判断题
反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
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对
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判断题
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对
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对
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判断题
通过引入耗尽近似,耗尽层内部的电荷密度完全正比于净杂质浓度。
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对
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对
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错
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判断题
P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。
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判断题
MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
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