问答题
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以在Ge半导体掺入As为例,简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近?
参考答案:
一个第IV族元素Ge(4 价元素)被一个第V族元素As(5 价元素)所取代的情形, As原子和近邻的Ge原子形成共价键后尚剩余一个电子。因为共价键是一种相当强的化学键,束缚在共价键上的电子能量很低, 从能带的角度来说, 就是处于价带中的电子。 多余一个电子受到As+离子静电吸引, 其束缚作用是相当微弱的,在能带图中,它位于带隙之中, 且非常接近导带底。这个电子只要吸收很小的能量,就可以从带隙跃迁到导带中成为电子载流子。
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