填空题
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当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时，MOSFET的阈电压会（），这称为衬底偏置效应。
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填空题
MOSFET的基本工作原理，是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力，从而控制（）电流。
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漏极
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填空题
I
ES
代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独一个（）构成的PN结二极管的反向饱和电流。
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发射结
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填空题
共发射极电路中，基极电流I
B
是输入电流，集电极电流I
C
是输出电流。发射结正偏、集电结零偏时的I
C
与I
B
之比称为（），记为β。
参考答案：
共发射极直流短路电流放大系数
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填空题
功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的（），记为M。
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高频优值
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填空题
当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。
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填空题
当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡（）浓度之间。
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多子
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填空题
当MOSFET的沟道宽度很小时，阈值电压将随着沟道宽度的增加而（）。
参考答案：
减小
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判断题
PN结正偏时，势垒高度降低。这就意味着n型侧中性区和p型侧中性区有更多的多子可以通过漂移运动越过势垒。
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错
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判断题
正偏PN结中，耗尽区边界的少子小于平衡态少子。
参考答案：
错
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判断题
在正偏时，从P区注入N区的非平衡空穴，其浓度在N区中随距离作指数式衰减。这是因为非平衡空穴在N区中一边扩散一边复合的缘故。
参考答案：
对
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