问答题X 纠错
1、处于反向偏压下的半导体光电二极管,在无光照时,仍有电流流过,这部分电流称为暗电流。
2、暗电流是由载流子的热扩散形成的,或者是由器件表面和内部的缺陷以及有害的杂质引起的。暗电流的大小由半导体材料及掺杂浓度决定。
3、暗电流与光源无信号时的残留光一样,在接收机中产生噪声。暗电流的存在限制了光敏二极管所能检测的最小光功率,也就是降低了接收机的灵敏度。
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已知半导体材料GaAs(镓砷)的禁带宽度Eg=1.43ev,InGaAsP(铟镓砷磷)的Eg=0.96ev,分别求由这两种材料组成的半导体激光器的发射波长。(普朗克常数h=6.626×10-34J·S,1ev=1.6×10-19J)
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