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判断题

处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。

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判断题

实际的MOS管,绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体,其中没有任何杂质和缺陷。

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P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

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N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

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MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

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N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。

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N沟耗尽型MOS管的工作载流子是空穴。

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当MOS管处在饱和工作区时,导电沟道相当于一个零电阻的导体。

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MOS的栅极加电压高于衬底电压称为正偏压。

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处于线性工作区的MOS管,栅极电压将对电流不产生影响。

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