A.不同原因造成的能量展宽需要平方求和在开方，求总体效应
B.载流子统计涨落、漏电流和噪声均会造成探测器能量分辨率变差
C.不同原因造成的能量展宽可以直接相加求总体效应
D.载流子由于陷阱效应带来的涨落可以通过适当提高偏置电压减小

A.平面型探测器，吸收位置不同但是输出信号基本相同
B.信号脉冲上升时间与入射带电粒子产生电子-空穴对的位置有关
C.同轴型探测器，吸收位置不同但是输出信号基本相同
D.输出电压脉冲信号是前沿不变的

A.平面型体积较大
B.同轴型体积较小
C.两者都不需要考虑空间电荷问题
D.对不同的结构形式，灵敏体积内的电场分布不同

A.它需要在低温下工作
B.它需要在低温下保存
C.工作时一般不能达到全耗尽状态
D.不属于PN结型探测器

A.高纯锗探测器是由Ge单晶制成
B.杂质浓度约为10⁵个原子/cm³
C.因为纯度高，所以可以有很大的结区，即敏感体积
D.耗尽层内的电场强度不是一致的

A.锂漂移探测器不可以用来测量入射粒子的能量
B.Ge（Li）探测器须保存在低温下
C.Si（Li）探测器可在常温下保存
D.锂漂移探测器能量分辨率高于NaI探测器

A.I区存在空间电荷
B.I区为耗尽层，但是电阻率低于10⁶Ω
C.I区为主要的探测器敏感区域
D.因为空间电荷的存在，平面型结构I区内不是均匀电场

A.Li为施主杂质
B.锂离子是用于漂移成探测器的唯一可用离子
C.基体用N型半导体

A.电流型前置放大器
B.电压型前置放大器
C.电荷灵敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器

A.结区的电场为均匀电场
B.耗尽区的宽度与掺杂浓度无关
C.结区电容与外加电压无关
D.外加电压增大，耗尽层的宽度增加

A.平均电离能比闪烁体探测器低
B.载流子数目服从泊松分布
C.电子迁移率与空穴迁移率相近
D.掺杂会大大降低半导体的电阻率