问答题X 纠错

参考答案:

①高技术含量:设备先进、技术先进
②高精度:光刻图形的最小线条尺寸在亚微米量级,制备的介质薄膜厚度也在纳米量级,而精度更在上述尺度之上。
③超纯:指工艺材料方面,如衬底材料Si、Ge单晶纯度达11个9。
④超净:环境、操作者、工艺三个方面的超净,VLSI在100级超净室、10级超净台中制作
⑤大批量、低成本: 图形转移技术使之得以实现
⑥高温:多数关键工艺是在高温下实现, 如:热氧化、扩散、退火

查答案就用赞题库小程序 还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用

你可能喜欢

问答题

解释集成度的概念并根据集成度将集成电路分类

参考答案:

问答题

简述制造半导体器件的四个阶段

参考答案:

①材料准备
②晶体生长与晶圆准备
③芯片制造
④封装

问答题

列举出几种pn结的形成方法并说出平面工艺的特点

参考答案:

问答题

描述分立器件和集成电路的区别

参考答案:①分立器件:是由二极管、三极管等独立的元器件组成的,一般只能完成单一功能,体积庞大。②集成电路:把由若干个晶体管、电阻、...

问答题

解释说明自对准栅工艺流程,为什么当图形化尺寸小到0.18um时,使用钴硅化物取代钛硅化物?为什么当图形化尺寸小到65nm时,使用镍硅化物取代钴硅化物?

参考答案:

问答题

简述CMOS IC工艺中的三种阱区形成工艺

参考答案:高能量、低电流的离子注入;加热退火/扩散工艺;自对准双阱工艺。

问答题

简述集成电路制造中的四种隔离技术

参考答案:整面全*区覆盖氧化层、局部硅氧化(LOCOS)、浅槽隔离(STI)、P型掺杂结也可以用于形成相邻晶体管的电气隔离。

问答题

简述CMP技术的优点

参考答案:优点:(1)CMP可以将晶圆表面平坦化,可以允许高解析度的光刻技术。被平坦化的表面可以消除侧壁变薄引起金属导线高电阻和高...

问答题

简述钽在铜互连工艺中的作用

参考答案:①钽作为铜淀积前的阻挡层,可以防止铜扩散穿过氧化硅进入硅衬底损坏元器件。②钽与钛、氮化钛阻挡层材料相比,是一种很好的阻挡...

问答题

简述双重镶嵌铜互连技术的几个挑战及双镶嵌铜互连工艺流程

参考答案:挑战:①高深宽比的金属层间接触孔需要点击一层铜阻挡层以防止铜扩散,这个阻挡层需要良好的侧壁和底层阶梯覆盖、优良的电介质附...
赞题库

赞题库-搜题找答案

(已有500万+用户使用)


  • 历年真题

  • 章节练习

  • 每日一练

  • 高频考题

  • 错题收藏

  • 在线模考

  • 提分密卷

  • 模拟试题

无需下载 立即使用

版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved