单项选择题X 纠错
电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于（）
A.6V B.0V C.0.6V D.5.3V
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单项选择题
图示电路，已知晶体管忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取（）
A.480KΩ B.120KΩ C.240KΩ D.360KΩ
放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是（）
A.A B.B C.C D.D
如图示放大电路中接线有错误的元件是（）
A.RL B.RB C.C1 D.C2
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为（）
A.1mA/V B.0.5mA/V C.-1mA/V D.-0.5mA/V
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为（）
A.0V B.+2V C.-2V D.-1V
某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）
A.P沟道耗尽型MOS管 B.N沟道增强型MOS管 C.P沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管
某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在（）
A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态
低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于（）
A.A B.B C.C
A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数
A.发射结反偏，集电结正偏 B.发射结、集电结均反偏 C.发射结、集电结均正偏 D.发射结正偏、集电结反偏
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忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取（）
约为（）
