MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起...

多项选择题X 纠错

MOSFET的饱和区漏极电流I_D随V_DS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的？（）

A.基区宽度调变效应
B.阈电压的短沟道效应
C.漏区静电场对沟道的反馈
D.有效沟道调制效应

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影响MOSFET阈值电压的因素有（）。

A.衬底掺杂浓度
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D.氧化层固定电荷

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双极型晶体管的基区输运系数的表达式为（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

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为了能用与平衡载流子浓度分布公式相类似的公式来描述非平衡载流子浓度的分布，引入了准费米能级的概念。如果用E_Fp和E_Fn分别代表空穴和电子的准费米能级。非平衡载流子的浓度分别表示（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

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A.外加电压
B.掺杂浓度
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‍P型区和N型区的交界面称为（）。

A.表面
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共射极接法的双极型晶体管发生雪崩击穿的条件是（）。

A.M→∞
B.M→α
C.M→1/α
D.M→1

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在同一个双极型晶体管中，三种集电极电流I_CBO、I_CS和I_CEO的大小关系为（）。

A.I_CBO＞I_CS＞I_CEO
B.I_CBO＞I_CEO＞I_CS
C.I_CBO＜I_CEO＜I_CS
D.I_CBO＜I_CS＜I_CEO

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为了避免陷落效应，晶体管的发射区多采用（）扩散来代替磷扩散。

A.铟
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A.反向恢复
B.正向导通
C.碰撞电离
D.热激发

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