问答题X 纠错

四级反相器逐级相联，第一级为标准尺寸CMOS反相器，若后一级反相器的几何尺寸均为前一级的2倍（指栅宽），且最后一级反相器驱动的负载电容就等于最后一级反相器的栅电容，试计算信号通过四级反相器链的延迟时间。（设标准反相器的本征门延迟时间为）

参考答案：

假设标准尺寸反相器的尺寸为：

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问答题

已知

试计算两输入与非门，两输入或非门和CMOS反相器的门延迟时间，假设它们的负载均为相同尺寸CMOS反相器。

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问答题

假设k丶N=2k丶p，试比较最坏工作情况下具有对称驱动能力的两输入与非门和两输入或非门的面积之比。

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问答题

对于的三输入CMOS与非门，试计算最坏情况下的上升时间和下降时间。如果要获得对称的驱动能力，应采取什么措施？是否能够实现无条件的对称驱动能力？

参考答案：

电路传输特性与输入信号有关，不可能得到完全对称的电学特性!

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问答题

设某1μmCMOS工艺的参数如下

若该CMOS反相器的输出端接了一个60fF的电容，在20MHz工作频率下电路的功耗是多少？

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设某1μmCMOS工艺的参数如下

若反相器的输出端接有4个相同尺寸的反相器，问该反相器的门延迟时间是多少？

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问答题

设某1μmCMOS工艺的参数如下

CMOS反相器的负载为相同尺寸的反相器时，反相器的门延迟时间是多少？计算中只考虑栅电容负载的影响。

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问答题

设某1μmCMOS工艺的参数如下

P管几何尺寸为多少才能获得与N管相同的增益因子。

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问答题

设某1μmCMOS工艺的参数如下

试求最小尺寸NMOS管的栅电容和增益因子βn。

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问答题

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管，已知栅电容Cox=10-3pF/μm2，扩散区电容Cja=10-4pF/μm2，扩散区周边电容为Cja=10-3pF/μm，场区多晶硅与衬底之间的电容Cp=5×10-5pF/μm2，试计算多晶硅区和扩散区的电容。

参考答案：

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问答题

假设MOS电路中某层的电阻率ρ=1Ω.cm，该层的厚度为1μm计算该材料的方块电阻值。

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