单项选择题X 纠错
A.等于0B.大于0C.小于0D.大于等于0
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多项选择题
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A.沟道长度增加B.阈值电压提高C.栅氧化层厚度减小D.沟道宽度增加
A.增大基区宽度B.增大基区掺杂浓度C.减小基区掺杂浓度D.减小基区宽度
A.减小基区掺杂浓度B.增大基区宽度C.增大基区掺杂浓度D.减小基区宽度
A.少子的复合需要时间B.中性区有多子电荷存储C.反向电流的抽取需要时间D.中性区有少子电荷存储
A.齐纳击穿B.雪崩击穿C.隧道击穿D.热击穿
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A.势垒电容B.空间电荷区宽度C.反向饱和电流D.反向恢复过程
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