单项选择题X 纠错

GaAs晶体是（）结构

A.金刚石
B.闪锌矿
C.体心
D.面心

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判断题

硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。

参考答案：错
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判断题

半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。

参考答案：对
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判断题

PMOS的基底是p型半导体，所以叫PMOS。

参考答案：错
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判断题

半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法。

参考答案：错
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判断题

AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。

参考答案：错
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单项选择题

MOSFET开关的基本工作原理是通过（）极电压来控制（）极和（）极之间的导电沟道的通断。

A.栅、源、漏
B.漏、源、栅
C.源、漏、栅
D.以上都不是

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单项选择题

当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时，其（）的pn结上的电压方向是反向偏置的

A.集电极到发射极
B.集电极到基极
C.基极到发射极
D.以上都不是

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单项选择题

一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的（）达到了14nm量级

A.栅极长度
B.漏极宽度
C.栅极宽度
D.以上都不是

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判断题

平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的。

参考答案：对
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判断题

所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体。

参考答案：错
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