A.绝对位置
B.绝对速度
C.相对速度
D.相对位置

A.积分
B.传输
C.产生
D.微分

A.最大限度地增大转子漏电抗
B.应尽可能地减小励磁绕组的漏阻抗
C.最大限度地减小转子漏电抗
D.应尽可能地增大励磁绕组的漏阻抗

A.交轴磁通在直轴上的去磁效应
B.转子绕组电阻引起的直轴去磁效应
C.励磁绕组的漏阻抗的影响
D.转子绕组漏抗引起的直轴去磁效应

A.限制最高转速
B.励磁回路串联热敏电阻并联网络
C.励磁回路串联阻值较大、温度系数很小的附加电阻R
D.将磁路设计得比较饱和。电流变化时，磁通变化很小

A.旋转电动势
B.电抗电动势
C.电枢电动势
D.励磁电动势

A.提高转速
B.所接负载不得小于最小负载电阻
C.所接负载尽可能的大
D.限制最高转速

A.测量转速
B.作为微分元件
C.作为积分元件
D.改变电压

A.所接负载尽可能的大
B.限制最高转速
C.提高转速
D.所接负载不得小于最小负载电阻

A.剩余电压
B.电枢电压
C.控制电压
D.励磁电压

A.死区
B.灵敏区
C.不灵敏区
D.动态区