问答题X 纠错
如图所示工艺每个步骤名称为：
1 气相成底膜：清洗、脱水，脱水烘焙后立即用HMDS进行成膜处理，起到粘附促进剂的作用。
2 采用旋转涂胶的方法涂上液相光刻胶材料。
3 软烘：其目的是除去光刻胶中的溶剂。
4 对准和曝光：掩模板与涂了胶的硅片上的正确位置对准。然后将掩模板和硅片曝光。
5 曝光后烘焙：深紫外（DUV）光刻胶在100-110℃的热板上进行曝光后烘焙。
6 显影：是在硅片表面光刻胶中产生图形的关键步骤。
7 坚膜烘焙：要求会发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅片表面的粘附性。
8 显影后检查：目的是找出光刻胶有质量问题的硅片，描述光刻胶工艺性能以满足规范要求。
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问答题
如图为铝金属化与铜金属化工艺的比较。识别并描述每个工艺步骤。
单项选择题
A. 电活性
B. 晶格损伤
C. 横向效应
D. 沟道效应
单项选择题
A. 激活杂质后
B. 一种物质在另一种物质中的运动
C. 预淀积
D. 高温多步退火
单项选择题
A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
单项选择题
A.增大光源波长；
B.减小光源波长；
C.减小光学系统数值孔径；
D.增大光学系统数值孔径。
单项选择题
A.35；
B.100；
C.102；
D.237。
