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问答题
某半导体价带顶附近能量色散关系可表示为:E(k)=Emax-10-30k2(J),现将其中一波矢为
的电子移走,试求此电子留下的空穴的有效质量m*p,及速度vp(k).
价带顶附近等能面为球面, 因此有效质量各向同性,均为:
问答题
已知室温(300K)下硅的禁带宽度Eg≈1.12eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比m*p/m*n≈0.55,导带的有效状态密度NC≈2.8*1019/cm3,kT≈0.026eV。试计算:
1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级Ei;
2)室温(300K)下,掺磷浓度为1016/cm3的n型单晶硅的费米能级EF。
1)纯净单晶硅的本征费米能级Ei.
问答题
问答题
问答题
试分别说明:
1)在一定的温度下,对本征材料而言,材料的禁带宽度越窄,载流子浓度越高;
2)对一定的材料,当掺杂浓度一定时,温度越高,载流子浓度越高。