问答题X 纠错

从能带结构特点比较Si和GaAs在应用上的不同。

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问答题

计算〈111〉晶向硅衬底上外延层厚度为多少时，外延层上的刻蚀坑具有1.838um的尺寸？

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问答题

确定在1200℃时，由SiCl4源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是hG=5cm/s，表面反应速率常数为KS=107exp（-1.9eV/kT）cm/s，CG=5*1016cm-3。如果反应温度降低2℃，生长速率将变化多少？

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问答题

为什么使用外延生长难以得到突变结？

参考答案：通常希望外延层和衬底之间界面处的掺杂浓度梯度很陡，但是由于高温下进行外延生长，衬底中的杂质会进入外延层，使得外延层和衬底...
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问答题

由外延生长的Grove模型得到外延生长速率与反应物浓度成正比，对于以SiCl4为原料的硅外延为什么随SiCl4浓度的增加会出现负的生长速率？

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问答题

用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。

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问答题

详述影响硅外延生长速率的因素。

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问答题

要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge单晶，所用的杂质为Ga-Ge合金，合金中P型Ge浓度为Cm=1017cm-3，原料为纯Ge，问需要多少克Ga-Ge合金？

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问答题

每拉出g=1/2处，ρ=1Ω·cm的硅单晶锭100g，所用的硅是区熔硅（即纯硅），问要掺杂质硼多少克？

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问答题

简述位错对材料性能的影响及无位错单晶工艺的要点。

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问答题

解释组分过冷并推导组分过冷产生的条件，讨论出现组分过冷时平坦界面上的干扰如何发展成胞状界面及枝蔓生长。

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