问答题X 纠错

在300K下，一个锗晶体中的施主原子数等于2×1014cm-3，受主原子数等于3×1014cm-3。
（1）试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是N型还是P型锗？它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现？

（2）若Na＝Nd＝1015cm-3，重做上述内容。 
（3）若Nd＝1016cm-3，Na＝1014cm-3，重做上述内容。

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问答题

电路如图所示，集成稳压器7824的2、3端电压V32＝VREF＝24V，求输出电压VO和输出电流IO的表达式，说明该电路具有什么作用？

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变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图所示，副边电源电压为v2a-v2b=√2V2sinωt 假定忽略管子的正向压降和变压器内阻。

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问答题

变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图所示，副边电源电压为v2a-v2b=√2V2sinωt 假定忽略管子的正向压降和变压器内阻。

计算整流二极管的平均电流ID、最大反向电压VRM

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变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图所示，副边电源电压为v2a-v2b=√2V2sinωt 假定忽略管子的正向压降和变压器内阻。

试画出v2a、v2b、iD1、iD1、iL、Lv及一极管承受的反向电压vRo的波形；

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功率放大电路如图所示，已知，VCC=20V，-VCC=20V，负载电阻RL=8Ω。设晶体管T1，T2的特性相同，死区电压Vces可忽略。求：

R=0.5Ω时对应于每个管子的功耗最大的VIM值及此时每个管子的功耗PT（max）

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