单项选择题X 纠错
A.杂音较多 B.输入阻抗较高 C.高频响应较好 D.增益带宽乘积通常比晶体管为佳
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单项选择题
右图之电路，若|IDSS|=4mA，VP=4V，则VGS为（）
A.1V B.2V C.3V D.4V
如图之电路，其参数值gm=2mA/V，rd=40k，若RD=20k，则电压增益Av为（）
A.－57 B.－38 C.－26.6 D.－20.5
A.甚高 B.约等于μ C.等于1 D.略小于1
A.集极 B.射极 C.基底（substrate） D.基极
A.108 B.109 C.1010 D.1014
A.MOSFET源极随耦器 B.射极耦合器 C.达灵顿射极耦合器 D.晶体管靴带式放大器
A.BJT B.JFET C.SCR D.UJT
A.N通道FET B.P通道FET C.双极性晶体管 D.单极性晶体管
A.集极与射极 B.基极 C.射极 D.集极
如图中，假设二极管为理想，须向导通电压为0，则输出Vo之平均电压Vdc约为（）
A.3.18V B.5V C.6.28V D.7.07V
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