问答题X 纠错
因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀,而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。 随着栅的宽度不断减少,栅结构(源漏间的硅区域)下的沟道长度也不断减少。晶体管中沟道长度的减少增加了源漏间电荷穿通的可能性,并引起了不希望的沟道漏电流。
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