填空题X 纠错

（）称为沟道效应，可以用（）、（）和（）来避免。其中，（）是最常用的方法。

参考答案：沿晶体沟道注入离子的射程远大于随机方向注入离子射程的现象；硅片相对注入束偏转5-7°的注入角；表面生长氧化层；硅注入表面预非晶化；硅片偏转5-7°的注入角
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填空题

注入离子的射程主要由（）决定。确定注入离子分布的主要参数是（）及其（）。注入离子分布的一级近似为（）。可写成：

参考答案：离子能量、离子种类和衬底材料；平均投影射程；标准偏差；高斯分布
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填空题

CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。

参考答案：针孔密度低、界面态密度低、可动电荷密度低和固定电荷密度低、介电击穿高；含Cl；含N
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填空题

用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的：（）

参考答案：界面态密度、可动电荷密度和固定电荷密度
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填空题

氧化层厚度的测量方法主要有：（）。

参考答案：比色法、椭圆偏振仪测试法、台阶测试、相干光波长差测量、扩展电阻测试、扫描电镜测量
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填空题

氧化时（）称为分凝效应。B在氧化硅中的含量高于Si衬底中的含量，分凝系数（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si衬底中含量，分凝系数（）1。

参考答案：硅中的杂质浓度与SiO2中浓度出现差别的现象；小于；大于
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填空题

Si衬底上热氧化的机理由（）模型确定。氧化反应的快慢与三个因素有关，即：（）。氧化层厚度的理论计算公式为：式中A、B为与扩散率成正比的常数，τ为由（）决定的时间修正系数。

参考答案：迪尔－格罗夫；温度、氧化剂浓度和表面电势；初始厚度
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填空题

由于O2在SiO2中的扩散率远（）于Si 在SiO2中的扩散率，所以氧化反应是由O2穿过SiO2层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO2中，H2O比O2有更（）的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用（）法沉积Si3N4薄膜。

参考答案：高；Si-SiO2；高；高；低；PECVD
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填空题

扩散系统主要有以下四部分组成：（）

参考答案：炉体与炉管、气体系统、温度和气源控制系统、装片系统
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填空题

扩散分布的主要测量方法有：（）。

参考答案：四探针测电阻率、扩展电阻测载流子分布、霍尔效应测电阻率、染色法测结深、二次离子质谱测杂质分布、卢瑟福背散射测重杂质分布
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填空题

扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

参考答案：杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间；费克定律；预淀积；再分布扩散；余误差；高斯
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