问答题X 纠错室温下硅的电子和空穴的有效质量分别为m*e=1.08m0和m*h=0.59m0;砷化钾的电子和空穴的有效质量分别为m*em0和m*h=0.5m0(m0是自由电子质量)。

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问答题

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已知InSb的介电常数ε=18,电子有效质量m*e=0.015m0(m0是自由电子质量),晶格常数a=6.479×10-10。试用类氢模型求施主电离能。

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若锗在T=300K时,NC=1.1×1019cm-3,NV=0.51×1019cm-3,禁带宽度为Eg=0.67eV。计算电子和空穴的有效质量m*e和m*h

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