判断题
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基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。
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对
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判断题
I
ES
代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流。
参考答案：
对
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判断题
对于一个N型MOSFET，为了保证器件正常工作，衬底电位应当等于或低于源极电位。
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对
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判断题
MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
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错
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判断题
当MOSFET的漏极电流较小时，随着温度的温度升高，漏极电流将减小。
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判断题
由于MOSFET的栅氧化层电荷通常带正电，因此N型衬底将更难发生反型。
参考答案：
对
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判断题
对于P型的MOSFET，其衬底相对于源区应该接低电位。
参考答案：
错
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判断题
当硅表面处的少子浓度达到或超过体内平衡多子浓度时，称表面发生了强反型。
参考答案：
对
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判断题
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参考答案：
对
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判断题
电流放大系数与频率成反比，频率每提高一倍，电流放大系数下降一半，功率增益降为四分之一。
参考答案：
对
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判断题
减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向抽取电流。
参考答案：
错
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