判断题
X 纠错
当掩模版上的图形转移到下方薄膜材料上时，必须要考虑到光刻胶的性质（正胶还是负胶）。
参考答案：
错
进入题库练习
查答案就用赞题库小程序
还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用
你可能喜欢
判断题
如果掩模版上绝大多数部分是不透光的区域，只有很少一部分透光，这种掩模版称为亮场掩模版。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
掩模版一般是在石英玻璃涂抹上一定形状的铬等材料，形成明暗相间的图形。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
制作MOS管时，一般先进行源的注入，再进行漏的注入。
参考答案：
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
CMOS制作时，源、漏、栅等结构都做在场氧化区。
参考答案：
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。
参考答案：
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
制备多晶硅之前先做一层薄氧，这层薄氧是栅氧。
参考答案：
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
制作场氧区的时候，氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
采用双阱工艺，可以实现PMOS和NMOS的独立控制。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅，可以使得MOS电路特性得到改善，阈值电压下降。
参考答案：
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
制作MOS管结构时，源漏虽然结构完全对称，但掺杂浓度不同。
参考答案：
错
点击查看答案
进入题库练习
赞题库
赞题库-搜题找答案
（已有500万+用户使用）
历年真题
章节练习
每日一练
高频考题
错题收藏
在线模考
提分密卷
模拟试题
无需下载 立即使用
手机版
电脑版
版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved
