A.结区的电场为均匀电场
B.耗尽区的宽度与掺杂浓度无关
C.结区电容与外加电压无关
D.外加电压增大，耗尽层的宽度增加

A.平均电离能比闪烁体探测器低
B.载流子数目服从泊松分布
C.电子迁移率与空穴迁移率相近
D.掺杂会大大降低半导体的电阻率

A.高的电阻率，短的载流子寿命
B.高的电阻率，长的载流子寿命
C.低的电阻率，长的载流子寿命
D.低的电阻率，短的载流子寿命

A.Li
B.B
C.P
D.Al

A.能量分辨率好
B.对γ射线的探测效率高
C.结构紧凑
D.不易受射线损伤

A.光电倍增器件
B.组分恒定的气体环境
C.闪烁体
D.前置放大器

A.探测效率高
B.时间特性好
C.用途广泛，闪烁体选择多
D.适合于测量带电粒子，不适合测量不带电粒子

A.阳极收集的总电荷量
B.闪烁体的发光衰减时间常数
C.输出回路等效电容
D.输出回路等效电阻

A.峰总比变大，峰源效率变大
B.峰总比变大，峰源效率变小
C.峰总比变小，峰源效率变大
D.峰总比变小，峰源效率变小

A.电流型
B.累计型
C.电压脉冲型
D.电流脉冲型

A.闪烁体的组成元素
B.闪烁体的密度
C.闪烁体的厚度
D.打拿极的倍增系数