问答题X 纠错

设计一个实验：先将一块本征半导体变成N型半导体，然后再设法使它变成P型半导体。

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问答题

写出全球10大著名的Foundry（代工）企业的名称

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问答题

为什么绝大多数的集成电路都采用了Si半导体？

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问答题

最初只知道一个特殊的硅器件掺杂是用离子注入方法制备的，后经过测量得知： 表面杂质浓度为4×1013cm-3，峰值在1800Å深处，峰值浓度为5×1017cm-3。假定离子注入服从对称高斯分布，你能估计出它的注入剂量是多少吗？

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问答题

假设某项化学气相淀积工艺受反应速率控制，在700 ℃和800 ℃时的淀积速率分别为500Å/min和2000Å/min，请计算在900℃下的淀积速率是多少？实际测量发现900℃下淀积速率远低于计算值，说明什么？怎样证明？（化学气相淀积的反应速率常数）

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问答题

识别如图所示工艺，写出每个步骤名称并进行描述。

参考答案：如图所示工艺每个步骤名称为：1 气相成底膜：清洗、脱水，脱水烘焙后立即用HMDS进行成膜处理，起到粘附促进剂的...
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问答题

如图为铝金属化与铜金属化工艺的比较。识别并描述每个工艺步骤。

参考答案：（a）铝金属化工艺下层铝导线层间绝缘介质沉积/平坦化通孔刻蚀通孔填充，形成钨插塞上层铝淀积上层铝导线刻蚀（b）铜金属化工...
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问答题

依照如图，对硅片制造厂的六个分区分别做一个简短的描述，要求写出分区的主要功能、主要设备以及显著特点。

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多项选择题

对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。

A.氧化层厚度；
B.沟道中掺杂浓度；
C.金属半导体功函数；
D.氧化层电荷。

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单项选择题

离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。

A. 电活性
B. 晶格损伤
C. 横向效应
D. 沟道效应

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单项选择题

杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

A. 激活杂质后
B. 一种物质在另一种物质中的运动
C. 预淀积
D. 高温多步退火

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