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PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
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判断题
由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过。
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判断题
漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。
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判断题
PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
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判断题
P型半导体带正电，N型半导体带负电。
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判断题
在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。
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判断题
通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
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判断题
通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
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判断题
有人测得晶体管在U
BE
=0.6V时，I
B
=5μA，因此认为在此工作点上的γ
be
大约为26mv/I
B
=5.2KΩ。
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判断题
P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
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判断题
与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
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