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单项选择题

A.温度场的干扰行为
B.干扰振幅和时间的依赖关系
C.浓度场的干扰行为
D.成分过冷产生的原因

单项选择题

A.借螺位错长大
B.树枝状长大
C.垂直长大
D.二维形核长大

单项选择题

A.非均匀形核所需的临界形核功比均匀形核小得多
B.无形核功,晶体可在已有固相表面长大
C.实际金属结晶过程中,通常发生的是非均匀形核
D.非均匀形核的临界晶核的体积V比均匀形核的体积大得多

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