A.减小
B.基本不变
C.增大

A.价电子
B.自由电子
C.空穴
D.杂质离子

A.温度
B.掺杂工艺
C.掺杂浓度
D.晶格缺陷

A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.击穿区

A.多子扩散而成
B.少子扩散而成
C.少子漂移而成
D.多子漂移而成

A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.击穿区

A.短路状态
B.完好状态
C.极性搞错
D.断路状态

A.发射结正偏，集电结反偏；
B.发射结反偏，集电结反偏；
C.发射结正偏，集电结正偏；
D.发射结反偏，集电结正偏。