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问答题
问答题
从负离子的立方密堆积出发,
(1)正离子填满所有四面体位置;
(2)正离子填满一半四面体位置,如T+位置;
(3)正离子填满所有的八面体位置;
(4)正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。
问答题
从负离子的六方密堆积出发,
(1)正离子填满一半的四面体位置;
(2)正离子填满所有的八面体位置;
(3)正离子填满八面体结构的交替层。
三种情况各产生什么结构类型?
问答题
填空题
问答题
比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。
(1)掺0.1mg/kg的As
(2)掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al
(3)掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al
(4)掺1mg/kg的Al