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问答题

锂最稳定的氧化物是Li2O,但铷和铯的过氧化物和超氧化物比简单氧化物稳定,从晶体结构的角度解释。

参考答案:Li2O是反萤石结构,Li占据O的四面体空隙,Li的原子半径较小,因此结构稳定。而Rb和Cs半径大,进入氧配位的四面体空...

问答题

MnO、NiO、CoO等都有正离子八面体配位的立方岩盐结构,CuO的结构则不同,它包含显著变形的CuO6八面体。试解释。

参考答案:

问答题

从负离子的立方密堆积出发,
(1)正离子填满所有四面体位置;
(2)正离子填满一半四面体位置,如T+位置;
(3)正离子填满所有的八面体位置;
(4)正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。

参考答案:(1)T+、T-占据,O空,反萤石结构(Na2O);(2)T+(或T-)占据,O空,T-(或T+)空,闪锌矿(立方ZnS...

问答题

从负离子的六方密堆积出发,
(1)正离子填满一半的四面体位置;
(2)正离子填满所有的八面体位置;
(3)正离子填满八面体结构的交替层。
三种情况各产生什么结构类型?

参考答案:(1)T+(或T-)占据,O和T-(或T+(空,纤锌矿(六方ZnS)型;(2)O占据,T+ 和T-空,NiAs...

问答题

BF3和NF3分子各形成什么类型的固体?固体中分子间靠什么键结合在一起?哪一种固体的熔点比较高?

参考答案:

问答题

氯化钠晶体中生成一对肖特基缺陷需要的能量是2eV,而从玻尔-哈伯循环求得的晶格能为8eV。这两个能量值有很大差别,原因是什么?

参考答案:NaCl晶体中肖特基缺陷的生成能是指激发1molNaCl到晶体表面,在内部形成1mol成对的Na+空位VNa&rsquo...

填空题

实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO21/6。试根据这一实验结果推断氧化镍是()型半导体。

参考答案:p

填空题

ZnO加热,表面上发生热分解反应,生成的Zn向晶体内部扩散,生成非整比化合物Zn1+xO,这是()型半导体。NiO在氧气中反应,晶体变为阴离子过量的NiO1+x,这是()型半导体。

参考答案:n;p

问答题

比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。
(1)掺0.1mg/kg的As
(2)掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al
(3)掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al
(4)掺1mg/kg的Al

参考答案:(3)<(2)<(1)<(4)

问答题

什么是填隙缺陷?什么是空位缺陷?什么是置换缺陷?

参考答案:填隙缺陷是在晶体的晶格空隙中本不应该有原子占据的空隙中无规则地填隙了多余的原子所造成的缺陷,这些多余的原子可能是组成晶体...
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