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求体心立方、面心立方、六方密堆积等晶体结构的最小滑移矢量的长度。
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碘化钾在不同温度下的钾蒸汽中增色,通过测试F带的光吸收就可得F心的形成能EB。当温度从570℃上升到620℃时,吸收常数增加了3.9%左右。假设光吸收的增加是由F心的数目增加引起的,试计算F心形成能EB。
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铜和硅的空位形成能Eu分别是0.3eV和2.8eV。试求T=1000K时,铜和硅的空位浓度。
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在离子晶体中,由于电中性的要求,肖特基缺陷多成对地产生,令n代表正、负离子空位的对数,W是产生一对缺陷所需要的能量,N是原有的正、负离子对的数目。 (1)试证明:n/N=Bexp(-W/2kBT); (2)试求有肖特基缺陷后体积的变化△V/V,其中V为原有的体积。
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某间隙原子在晶格的间隙位置间跳跃。该间隙原子在晶格中振动的频率为2*10
15
s
-1
,如该间隙原子在跳跃过程中需要克服的势垒高度为0.1eV,求该原子在1s内跳跃的次数。
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如果已知空位形成能为Eu=0.67eV,试问当温度为300K时在金里肖特基缺陷数与格点数之比是多少?
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