A.NPN管共发射极偏置
B.NPN管共集电极偏置
C.PNP管共发射极偏置
D.PNP管共集电极偏置

A.A是集电极，B是基极，C发射极
B.三极管是PNP型
C.三极管是硅材料
D.三极管是处于饱和状态

A.三极管是处于截止状态
B.三极管是PNP型
C.三极管是硅材料
D.三极管是处于饱和状态

A.三极管是处于截止状态
B.三极管是NPN型
C.三极管是处于放大状态
D.三极管是处于饱和状态

A.三极管是处于饱和状态
B.三极管是PNP型
C.三极管是处于放大状态
D.三极管是处于截止状态

A.D导通，U_O=-7.3v
B.D导通，U_O=6v
C.D截止，U_O=6v
D.D截止，U_O=-8v

A.U_O1=4.3v，U_O2=0.7v
B.U_O1=5v，U_O2=0.7v
C.U_O1=0v，U_O2=5v
D.U_O1=5v，U_O2=0v

A.内电场增强
B.PN结电阻呈现无穷大
C.PN结变厚
D.有利于多子的扩散

A.载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散
B.载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移
C.载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散
D.载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移

A.自由电子和空穴总是成对出现
B.电子可以自由移动，空穴不能自由移动
C.在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加
D.自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和

A.1.2
B.5.0
C.6.2
D.3.8