掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料，分别计算①300K；②600K时...

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掺有浓度为每立方米为10²²硼原子的硅材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度。

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问答题

计算含有施主杂质浓度为N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主杂质浓度为1.1×10¹⁶cm³的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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问答题

有一块掺磷的n型硅，N_D=10¹⁵cm^-3，分别计算温度为①77K；②300K；③500K；④800K时导带中电子浓度。

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问答题

若锗中施主杂质电离能△E_D=0.04eV，施主杂质浓度分别为10¹⁵cm^-3及10¹⁸cm^-3。计算
①99%电离；
②90%电离；
③50%电离时温度各为多少？

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问答题

若锗中施主杂质电离能△E_D=0.01eV，施主杂质浓度分别为N_D=10¹⁴cm^-3及10¹⁷cm^-3。计算
①99%电离；
②90%电离；
③50%电离时温度各为多少？

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问答题

以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。

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问答题

已知N_c=1.05×10¹⁹cm^-3，N_V=3.9×10¹⁸cm^-3，E_g=0.67eV，求温度为300K和500K时，含施主浓度N_D=5×10¹⁵cm^-3，受主浓度N_A=2×10⁹cm^-3的锗中电子及空穴浓度为多少？

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问答题

77K时，锗的电子浓度为10¹⁷cm^-3，假定受主浓度为零，而E_c-E_D=0.01eV，求锗中施主浓度N_D为多少？

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问答题

在室温下，锗的有效态密度N_c=1.05×10¹⁹cm^-3，N_V=3.9×10¹⁸cm^-3，计算77K时的N_c和N_V。

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问答题

在室温下，锗的有效态密度N_c=1.05×10¹⁹cm^-3，N_V=3.9×10¹⁸cm^-3，试求锗的载流子有效质量m^*_n、m^*_p。

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问答题

计算硅在-78℃，27℃，300℃时的本征费米能级，假定它在禁带中间合理吗？

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