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问答题

在室温下,锗的有效态密度Nc=1.05×1019cm-3,NV=3.9×1018cm-3,计算77K时的Nc和NV

参考答案:

问答题

在室温下,锗的有效态密度Nc=1.05×1019cm-3,NV=3.9×1018cm-3,试求锗的载流子有效质量m*n、m*p

参考答案:

问答题

计算硅在-78℃,27℃,300℃时的本征费米能级,假定它在禁带中间合理吗?

参考答案:

问答题

当E-EF为1.5k0T,4k0T,10k0T时,分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。

参考答案:

问答题

计算能量在E=Ec之间单位体积中的量子态数。

参考答案:

问答题

磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV,相对介电常数εr=11.1,空穴的有效质量m*p=0.86m0,m0为电子的惯性质量,求
①受主杂质电离能;
②受主束缚的空穴的基态轨道半径。

参考答案:

问答题

锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV,相对介电常数εr=17,电子的有效质量m*n=0.015m0,m0为电子的惯性质量,求
①施主杂质的电离能,
②施主的弱束缚电子基态轨道半径。

参考答案:

问答题

晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

参考答案:

问答题

设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为:


(1)禁带宽度; 
(2)导带底电子有效质量;
(3)价带顶电子有效质量; 
(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

参考答案:

问答题

以Si在GaAs中的行为为例,说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。

参考答案:Si取代GaAs中的Ga原子则起施主作用;Si取代GaAs中的As原子则起受主作用。导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增...
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