判断题
X 纠错
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。
参考答案:
错
进入题库练习
查答案就用赞题库小程序
还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用
你可能喜欢
判断题
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。
参考答案:
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
参考答案:
错
点击查看答案&解析
进入题库练习
判断题
PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
参考答案:
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
参考答案:
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
参考答案:
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
在波峰焊焊接中,解决桥连短路的唯一方法是对印制板预涂助焊剂。
参考答案:
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
时序逻辑电路除包含各种门电路外还要有存储功能的电路元件。
参考答案:
对
点击查看答案
进入题库练习
判断题
回路和网孔的含义是一样的。
参考答案:
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
深度负反馈的闭环放大倍数与基本放大电路增益有关。
参考答案:
错
点击查看答案
进入题库练习
判断题
正反馈太强时将会使电路产生振荡。
参考答案:
对
点击查看答案
进入题库练习
赞题库
赞题库-搜题找答案
(已有500万+用户使用)
历年真题
章节练习
每日一练
高频考题
错题收藏
在线模考
提分密卷
模拟试题
无需下载 立即使用
手机版
电脑版
版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved