填空题
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I
ES
代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流,相当于单独一个()构成的PN结二极管的反向饱和电流。
参考答案:
发射结
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填空题
共发射极电路中,基极电流I
B
是输入电流,集电极电流I
C
是输出电流。发射结正偏、集电结零偏时的I
C
与I
B
之比称为(),记为β。
参考答案:
共发射极直流短路电流放大系数
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填空题
功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的(),记为M。
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高频优值
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填空题
当N型MOSFET的温度降低时,器件的阈值电压将()。
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增大
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当MOSFET处于亚阈区时,衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡()浓度之间。
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多子
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错
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判断题
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错
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判断题
在正偏时,从P区注入N区的非平衡空穴,其浓度在N区中随距离作指数式衰减。这是因为非平衡空穴在N区中一边扩散一边复合的缘故。
参考答案:
对
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判断题
正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值,这导致了该区域内载流子出现复合占优。
参考答案:
对
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判断题
当PN结发生大注入时,将产生自建电场,该电场的作用是阻止多子流动,使多子(产生和扩散运动大小相等方向相反的漂移运动,那么这个电场必定使少子产生和扩散运动大小相等方向相同的漂移运动。这相当于使少子的扩散系数D增大了一倍。这个现象称为韦伯斯脱(Webster)效应。
参考答案:
对
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