分为线性氧化阶段和抛物线氧化阶段，他们分别位于氧化硅生长的初始阶段或氧化层足够薄时和氧化一段时间后的氧化硅生长的第二阶段或氧化层足够厚时。
线性阶段：当氧化层足够薄时，可忽略D－G模型中的二次项，则：；即：氧化层厚度与氧化时间成线性关系（正比），称为硅的线性氧化，有：B/A=N₀K_S/n其中：B/A称为线性速率常数，它与反应速率常数Ks成正比。抛物线阶段：当氧化层足够厚时，可忽略D－G模型中x的一次项，则：；即：氧化层厚度与氧化时间的平方根成正比，称为硅的抛物线氧化。其中：B称为抛物线速率常数，与扩散系数成正比。

氧化中硅消耗的厚度占总氧化物厚度的46%，即意味着每生长1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗。
920A