APCVD：常压化学气相淀积
HDPCVD：高密度等离子体化学气相淀积
LPCVD：低压化学气相淀积
PECVD：等离子体增强化学气相淀积
PVD：物理气相淀积
BJT：双极型晶体管
CD：关键尺寸
CMOS：互补金属氧化物半导体
CMP：化学机械平坦化
MIC：可动离子玷污
ILD：层间介质
MBE：分子束外延
SOI：绝缘体上硅
DUV：深紫外光
MOCVD：金属有机化学气相淀积
BSG：硼硅玻璃
PSG：磷硅玻璃
BPSG：硼磷硅玻璃
RTP：快速热处理器
RTA：快速热退火
IC：集成电路
LOCOS：硅局部氧化隔离法
STI：浅沟槽隔离
LI：局部互连
VLSI：超大规模集成电路
CA：化学放大（胶）
FIB：聚焦离子束
ARC：抗反射涂层
ASIC：专用集成电路
RIE：反应离子刻蚀
FIB：聚焦离子束
EUV：极紫外线
LDD：轻掺杂漏

1.电阻率的减小。
2.减小了功耗。
3.更高的集成密度。
4.良好的抗电迁徙性能。
5.更少的工艺步骤。

1.离子源
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室

1.对下层栅氧化层具有高的选择比
2.非常好的均匀性和可重复性。
3.高度的各向异性