问答题X 纠错

参考答案:

1.电阻率的减小。
2.减小了功耗。
3.更高的集成密度。
4.良好的抗电迁徙性能。
5.更少的工艺步骤。

查答案就用赞题库小程序 还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用

你可能喜欢

问答题

描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。

参考答案:当注入离子未与硅原子碰撞减速,而是穿透了晶格间隙时,就发生了沟道效应。三种机制:1.倾斜硅片:它把硅片相对于离子束运动方...

问答题

列举离子注入设备的5个主要子系统。

参考答案:

1.离子源
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室

问答题

离子注入的主要缺点是什么?如何克服?

参考答案:1、高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤。(高温退火进行修复)。2、注入设备的复杂性。(被注入机对剂量和深度的控制...

问答题

列举离子注人优于扩散的7点。

参考答案:1.精确控制杂质含量。2.很好的杂质均匀性。3.对杂质穿透深度有很好的控制。4.产生单一离子束。5.低温工艺。6.注入的...

问答题

离子注入通常在什么工艺之后?

参考答案:光刻。

问答题

列举用于硅片制造的5种常用掺杂。

参考答案:离子注入,热扩散,硅浆料,丝网印刷,激光

问答题

列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。

参考答案:

1.对下层栅氧化层具有高的选择比
2.非常好的均匀性和可重复性。
3.高度的各向异性

问答题

哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅,为什么这种化学气体替代了氟基化学气体?

参考答案:氯气、溴气、氯/溴气原因:因为氟基气体的刻蚀是各向同性的并且对光刻胶的选择比一般,为了避免击掉下一层的氧化物材料,所以选...

问答题

描述平板反应器。

参考答案:首先在层间介质二氧化硅中刻出通孔窗口,然后再覆盖有TiN阻挡层的通孔窗口中淀积W,最后进行干法等离子体反刻刻蚀掉多余的钨...

问答题

二氧化硅,铝,硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀?

参考答案:刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3. 刻蚀铝采用的化学气体为CL...
赞题库

赞题库-搜题找答案

(已有500万+用户使用)


  • 历年真题

  • 章节练习

  • 每日一练

  • 高频考题

  • 错题收藏

  • 在线模考

  • 提分密卷

  • 模拟试题

无需下载 立即使用

版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved