问答题X 纠错
首先在层间介质二氧化硅中刻出通孔窗口, 然后再覆盖有TiN阻挡层的通孔窗口中淀积W, 最后进行干法等离子体反刻刻蚀掉多余的钨覆盖层,制作出填满钨的通孔。
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