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干法刻蚀有高的还是低的选择比？

参考答案：干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比。
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问答题

描述各同向性和各向异性刻蚀剖面，以及在每一种剖面中哪一种是希望的哪一种是不希望的？

参考答案：各向同性的刻蚀剖面在所有方向上以相同的刻蚀速率进行刻蚀，这将带来不希望的线宽损失。各向异性的刻蚀剖面即刻蚀只在垂直于硅片...
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问答题

列出按材料分类的三种主要干法刻蚀。

参考答案：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀
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问答题

刻蚀的目的是什么？

参考答案：目的是为涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。
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问答题

列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术。

参考答案：1.极紫外光刻技术（EUV）2.离子束投影光刻技术（IPL）3.角度限制投影电子束光刻技术（SCALPEL）4.X射线光...
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问答题

光学光刻技术的改进有哪些方面？

参考答案：1.减小紫外线光源波长；2.提高光学光刻工具的数值孔径；3.化学放大深紫外光刻胶；4.分辨率提高技术；5.硅片平坦化；6...
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问答题

为什么要进行显影后检查？

参考答案：为了查找光刻胶中成形图形的缺陷，鉴别并除去有缺陷的硅片，用来检查光刻工艺的好坏，为光学光刻工艺生产人员提供用于纠正的信息...
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问答题

解释光刻胶选择比，要求的比例是高还是低？

参考答案：

显影也应具有选择性，高的显影选择性比意味着显影液与曝光的光刻胶反应得快。
要求比例低。

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问答题

使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么？

参考答案：最主要的是用于亚微米光刻的投影掩膜版衬底材料是熔融石英。不透明材料是一薄层铬。
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问答题

当分辨率增加时焦深会发生什么变化？

参考答案：焦深减小
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问答题

写出计算焦深的公试。

参考答案：DOF=入/（2*NA）2
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