问答题X 纠错

列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术。

参考答案：

1.极紫外光刻技术（EUV）
2.离子束投影光刻技术（IPL）
3.角度限制投影电子束光刻技术（SCALPEL）
4.X射线光刻技术

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问答题

光学光刻技术的改进有哪些方面？

参考答案：1.减小紫外线光源波长；2.提高光学光刻工具的数值孔径；3.化学放大深紫外光刻胶；4.分辨率提高技术；5.硅片平坦化；6...
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问答题

为什么要进行显影后检查？

参考答案：为了查找光刻胶中成形图形的缺陷，鉴别并除去有缺陷的硅片，用来检查光刻工艺的好坏，为光学光刻工艺生产人员提供用于纠正的信息...
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问答题

解释光刻胶选择比，要求的比例是高还是低？

参考答案：

显影也应具有选择性，高的显影选择性比意味着显影液与曝光的光刻胶反应得快。
要求比例低。

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问答题

使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么？

参考答案：最主要的是用于亚微米光刻的投影掩膜版衬底材料是熔融石英。不透明材料是一薄层铬。
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问答题

当分辨率增加时焦深会发生什么变化？

参考答案：焦深减小
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问答题

写出计算焦深的公试。

参考答案：DOF=入/（2*NA）2
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问答题

计算扫描光刻机的分辨率，假设波长是248nm， NA=0.65，  K是0.6。

参考答案：0.6*248/0.65=228.9   R=K*入/NA
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问答题

如果光波长减小分辨率会有什么变化，如果NA增加了呢？

参考答案：光波长减小分辨率提高。
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问答题

列出并解释硅片表面反射引起的最主要的两个问题。

参考答案：两种主要的光反射问题是反射切口和反射驻波，在刻蚀形成的垂直侧墙表面，反射光到不需要曝光的光刻胶中就会形成反射切口，光刻中...
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问答题

陈述分辨率公式。影响光刻分辨率的三个参数？

参考答案：

R.K*入/NA
1，波长 入
2，数值孔径NA
3，工艺因子K

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