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参考答案:

1.树脂。光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质,用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂
2.感光剂。是光刻胶材料中的光敏成分,它对光形成的辐射能会发生反应
3.溶剂。使光刻胶保持液体状态,直到它被涂在硅片衬底上
4.添加剂:是专用化学品,用来控制和改变光刻胶材料的特定化学性质或光刻胶材料的光响应特性

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问答题

什么是负胶分辨率的限制,哪种胶应用在亚微米光刻胶中?

参考答案:

由于显影时的变形和膨胀,负性光刻胶通常只有2μm的分辨率。
正性光刻胶。

问答题

列出并描述两种主要的光刻胶。

参考答案:负性光刻胶和正性光刻胶。负性光刻胶是负相的掩膜图形形成在光刻胶上、正相掩膜图形出现在光刻胶上。

问答题

给出硅片制造中光刻胶的两种目的。

参考答案:

1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。
2.在后续工艺中保护下面的材料。

问答题

列出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解释。

参考答案:1气相成底膜:第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理。2旋转涂胶:完成底膜后,硅片要立即采用旋转涂膜的方法涂上液相光刻胶...

问答题

解释亮场掩膜版和暗场掩膜版。

参考答案:如果一个掩膜版,其石英板上大部分被铬覆盖,它就指的是暗场掩膜版。亮场掩膜版有大面积的透明的石英,而只有很细的铬图形。

问答题

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参考答案:投影掩膜版它包括了要在硅片上重复生成的图形。这种图形可能仅包含一个管芯,也可能是几个光掩膜版通常称为掩膜版,包含了对于整...

问答题

什么是LOCOS和STI(写中英文全称),为什么在高级IC中STI取代了LOCOS,列举STI的工艺步骤。

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问答题

解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么?

参考答案:它是采用材料填充高深宽比的间隙并且无空洞形成的基础。 3:1 

问答题

描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响。

参考答案:使HDPCVD能够淀积得到的膜可以填充深宽比为3:1到4:1甚至更高的间隙。

问答题

解释HDPCVD,它在IC中有什么优势?

参考答案:高密度等离子体化学气相淀积;HDPCVD在IC中的优势是有良好的间隙能力,并可以在300-400℃较低的淀积温度下,制备...
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