问答题X 纠错

什么是LOCOS和STI（写中英文全称），为什么在高级IC中STI取代了LOCOS，列举STI的工艺步骤。

参考答案：

LOCOS：硅的局部氧化隔离  local oxidation of silicon
STI：浅槽隔离 shallow trench isolation
原因：
1.更有效的器件隔离的需要，尤其是对DRAM器件而言
2.对晶体管隔离而言，表面积显著减小。
3.超强的闩锁保护能力。
4.对沟道没有侵蚀。
5.与CMP的兼容
步骤：阻挡层和线性氧化层

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