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解释HDPCVD，它在IC中有什么优势？

参考答案：高密度等离子体化学气相淀积；HDPCVD在IC中的优势是有良好的间隙能力，并可以在300-400℃较低的淀积温度下，制备出能够填充高深宽比间隙的膜。 
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问答题

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参考答案：

化学气相淀积（cvd）
电镀
物理气相淀积（pvd或溅射）
蒸发
旋涂方法

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参考答案：

是冷壁系统

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